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東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新一代600V平面MOSFET系列 |
(中央社訊息服務20180111 11:57:36)- π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音優點 -
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——π-MOS IX。量產即日啟動。
此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180109006889/en/
π-MOS IX系列採用經最佳化的晶片設計，與現有的π-MOS VII系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，同時保持了相同水準的效率。該產品提供更大的設計自由度，因此有助於減小設計工作量。此外，π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社將推出更多600V元件以及500V和650V元件，以擴大其π-MOS IX系列的產品陣容。
應用場合
• 筆記型電腦AC變壓器和遊戲機充電器的中小型開關電源
• 照明電源
特點
• 兼具高效率和低噪音優點
• 額定雪崩電流和額定直流電流相等
主要規格
產品型號 封裝 絕對最大
額定值 RDS(ON)
最大值(Ω)
VGS=10V Qg
典型值
(nC) Ciss
典型值
(pF) 當前一代
（π-MOS VII系列）
產品型號
VDSS (V) ID (A)
TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D
TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D
TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 20.5 740 TK6A60D(1.25Ω)
TK1K9A60F TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB(2.0Ω)
註：
[1] TK10A60D與TK750A60F相比較（200MHz地區的65W筆記型電腦配接器）
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https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html
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功率元件銷售與行銷部
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原文版本可在businesswire.com上查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180109006889/en/
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訊息來源：business wire |
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