創意強攻AI 將推7奈米高頻寬記憶體

（中央社記者張建中新竹19日電）創意宣布，第2代高頻寬記憶體(HBM2)實體層與控制器已為台積電16奈米製程裝置供貨，不久並將推出台積電 7奈米的HBM2實體層與控制器IP，搶攻人工智慧市場。

創意指出，HBM2是使用在系統單晶片(SoC)設計上的下一代記憶體協定，16奈米HBM2是創意首度將HBM實體層與控制器矽智財(IP)整合到SoC，透過自行設計的中介層來存取堆疊記憶體晶粒，並以台積電2.5D封裝技術CoWoS封裝。

創意表示，HBM2將可滿足人工智慧(AI)、深度學習與各種高效能運算應用成長需求。

目前HBM2已為台積電16奈米製程技術裝置供貨，創意指出，不久將進一步推出台積電 7奈米製程的HBM2實體層與控制器IP；為加速全系統發展流程，創意也將提供包括資料表等完整設計套件。1060619

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