環球晶衝刺化合物半導體 徐秀蘭：明年產能倍增

（中央社記者張建中台北22日電）半導體矽晶圓廠環球晶積極衝刺化合物半導體碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）領域，董事長徐秀蘭表示，明年化合物半導體產能將同步倍增。

徐秀蘭今天出席國際光電大展，她受訪時說，環球晶明年將同步在美國及台灣擴充化合物半導體產能。預計在美國增設碳化矽磊晶產線，就近服務美國客戶，明年1月引進設備，目前產能已被客戶預訂一空。環球晶同時將擴充台灣碳化矽相關的長晶等產能。

至於氮化鎵方面，徐秀蘭表示，生產基地主要位於竹南廠，明年磊晶產能將同步擴增1倍規模。她說，因化合物半導體基期低，即便產能倍增，市場供需依然穩健。

徐秀蘭表示，許多國家將化合物半導體視為戰略管制技術，台灣不易取得國外技術，應結合產、官、學、研界共同努力，建置自主技術及設備。

徐秀蘭指出，除環球晶外，中美晶集團旗下的朋程、宏捷科及兆遠也都積極投入化合物半導體領域，在這次光電大展的化合物半導體專區一同展出集團發展的成果。

徐秀蘭說，中美晶集團成員在化合物半導體領域是各自努力，不過總方向都集中於車用、5G射頻及供電系統，若有需要也可相互支援。

至於矽晶圓方面，徐秀蘭表示，業界新增產能將於2023年開始少量陸續開出，由於廠商擴產動作理性謹慎，預期屆時市場供需仍將維持健康狀態。她說，目前矽晶圓產品平均售價上揚，不過運費上揚，還有新增產能，成本壓力同步增高。（編輯：趙蔚蘭）1101222

本網站之文字、圖片及影音，非經授權，不得轉載、公開播送或公開傳輸及利用。