東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
(中央社訊息服務20211130 16:53:36)日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705H和TLP5702H，可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。
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TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄型封裝(SO6L)，是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備，現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。
TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1]，便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性，並支援電路板背面安裝，或用於元件高度受限的新型電路設計。
這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃（Ta=-40至125ºC），使其更容易設計和保持溫度裕度。
此外，東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4)，採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。
注：
[1] 封裝高度：4.25毫米（最大值）
[2] 目前產品：採用SDIP6封裝的TLP700H
應用
工業設備
• 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。
特性
• 高峰值輸出電流額定值（Ta＝-40℃至125℃時）
IOP=±2.5A (TLP5702H)
IOP=±5.0A (TLP5705H)
• 薄型SO6L封裝
• 高工作溫度額定值：Topr（最大值）=125°C
主要規格
（除非另有說明，Ta=-40℃至125℃時）
元件型號 TLP5702H
TLP5705H
TLP5702H(LF4) TLP5705H(LF4)
封裝 名稱 SO6L SO6L(LF4)
尺寸(mm) 10×3.84（典型值）
厚度：2.3（最大值） 11.05×3.84（典型值）
厚度：2.3（最大值）
絕對最大額定值 工作溫度Topr (°C) -40至125
峰值輸出電流IOPH/IOPL (A) ±2.5 ±5.0 ±2.5 ±5.0
電氣特性 峰值高電平輸出電流
IOPH最大值(A) IF=5mA，
VCC=15V，
V6-5=-7V時 -2.0
峰值低電平輸出電流
IOPL最小值(A) IF=0mA，
VCC=15V，
V5-4=7V時 2.0
峰值高電平輸出電流(L/H)
IOLH最大值(A) IF=0→10mA，
VCC=15V，
Cg=0.18μF，
CVDD=10μF時 － -3.5 － -3.5
峰值低電平輸出電流(H/L)
IOHL最小值(A) IF=10→0mA，
VCC=15V，
Cg=0.18μF，
CVDD=10μF時 － 3.0 － 3.0
電源電壓VCC (V) 15至30
電源電流ICCH、ICCL最大值(mA) 3.0
輸入電流閾值(L/H)
IFLH最大值(mA) 5
開關特性 傳播延遲時間
tpHL、tpLH最大值(ns) 200
脈衝寬度失真
|tpHL–tpLH|最大值(ns) 50
傳播延遲差
（元件到元件）
tpsk (ns) -80至80
共模
瞬變抗性
CMH、CML最小值(kV/μs) Ta=25°C時 ±50
隔離特性 隔離電壓
BVS最小值(Vrms) Ta=25°C時 5000
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