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東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備

發稿時間:2022/01/27 13:56:15

(中央社訊息服務20220127 13:56:15)日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求,如軌道車輛的轉換器和逆變器,以及可再生能源發電系統。

應用
•軌道車輛的逆變器和轉換器
•可再生能源發電系統
•馬達控制設備
•高頻DC-DC轉換器

特點
•安裝方式相容Si IGBT模組
•損耗低於Si IGBT模組

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值) @VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150°C

•內建NTC熱敏電阻

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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

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SiC功率元件

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