東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備

(中央社訊息服務20220127 13:56:15)日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。

應用
•軌道車輛的逆變器和轉換器
•可再生能源發電系統
•馬達控制設備
•高頻DC-DC轉換器

特點
•安裝方式相容Si IGBT模組
•損耗低於Si IGBT模組

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值），Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A，Tch=150°C

•內建NTC熱敏電阻

請點選下面的連結，瞭解更多關於新產品的更多資訊。
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

請點選下方連結，瞭解更多關於東芝SiC功率元件的更多資訊。
SiC功率元件

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本新聞稿中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊，在公告之日為最新資訊，但如有變更，恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統lsi和hdd產品。
公司在全球各地的2.2萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的合作，促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過7,100億日圓（65億美元）的年度銷售額基礎上再接再厲，為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多資訊，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

原文版本可在businesswire.com上查閱：
https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

聯絡方式：

客戶詢問
功率元件銷售和行銷部
電話：+81-44-548-2216
聯絡我們

媒體諮詢：
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話：+81-44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp