Toshiba推出採用DFN8x8封裝的第3代650V SiC MOSFET

(中央社訊息服務20250520 18:23:43)- 四款新設備提升工業設備的效率與功率密度 -
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了四款650V碳化矽 (SiC) MOSFET，搭載其新款[1] 第3代SiC MOSFET晶片，採用緊湊型DFN8x8封裝，適用於開關電源供應器和光伏發電調節器等工業設備。這四款設備「TW031V65C」、「TW054V65C」、「TW092V65C」和「TW123V65C」即日起批量出貨。
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這款新品是首批採用小型貼片DFN8x8封裝的第3代SiC MOSFET，與TO-247和TO-247-4L(X)等傳統的引線封裝相比，體積縮小超過90%，顯著提升了設備的功率密度。貼片封裝還能使用比引線封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8x8採用4引腳[3]封裝，支援對門極驅動信號源端進行Kelvin連接，有效減少封裝內源極線的電感影響，實現高速開關性能；以型號TW054V65C為例，其開啟損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%[4]，相比Toshiba現有產品[5]，有助於減少設備的功率損耗。
Toshiba將持續擴展其產品陣容，協助提升設備效率並增強功率處理能力。
注釋：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 信號源引腳靠近FET晶片連接的產品。
[4] 截至2025年5月，數值由Toshiba測量。詳情請參閱Toshiba網站上此版本中的圖1。
[5] 採用TO-247封裝(無Kelvin連接)的650V第3代SiC MOSFET，等效電壓和導通電阻。
應用領域
伺服器、資料中心、通信設備等的開關式電源供應器
電動汽車充電站
光伏逆變器
不斷電供應系統
特點
採用DFN8x8貼片封裝，有助於設備小型化及自動化組裝，具備低開關損耗特性。
搭載Toshiba第3代SiC MOSFET
透過最佳化漂移區電阻與通道電阻比例，實現良好的漏源導通電阻溫度特性
漏源導通電阻與柵漏電荷乘積較低
低二極體正向電壓：VDSF =-1.35V(typ.) (VGS =-5V)
主要規格

(除非另有說明，Ta =25℃)
產品型號
TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C
封裝
名稱
DFN8x8
尺寸(mm)
典型
8.0×8.0×0.85
絕對最大額定值
漏源電壓 VDSS (V)
650
柵源電壓 VGSS (V)
-10至25
漏極電流(DC) ID (A)
Tc =25°C
53
36
27
18
電氣特性
漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ)
VGS =18V
典型
31
54
92
123
柵極閾值電壓 Vth (V)
VDS =10V
3.0 to 5.0
總柵極電荷 Qg (nC)
VGS =18V
典型
65
41
28
21
柵漏電荷 Qgd (nC)
VGS =18V
典型
10
6.2
3.9
2.3
輸入電容 Ciss (pF)
VDS =400V
典型
2288
1362
873
600
二極體正向壓降 VDSF (V)
VGS =-5V
典型
-1.35
樣品檢查及供應情況
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。
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