Toshiba推出支援PCIe^® 6.0和USB4^® Version 2.0等高速差分訊號的2:1多工器/1:2解多工器開關

(中央社訊息服務20260508 18:02:55)適用於工作溫度高達125℃的工業應用場景

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（"Toshiba"）已推出「TDS5C212MX」和「TDS5B212MX」兩款2:1多工器（Mux）/1:2解多工器（De Mux）開關，產品支援PCIe^® 6.0[1]和USB4^® Version 2.0[2]等下一代高速介面。這些新產品的批量出貨自即日起開始。

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隨著伺服器、工業測試儀、機器人和PC持續迭代升級，在電路板空間日趨有限的條件下，市場對PCIe^® 6.0和USB4^® Version 2.0等超高速、寬頻寬差分訊號的可靠切換需求不斷成長。Toshiba的新產品採用自研絕緣矽（SOI）製程（TarfSOI™）[3]，實現業界首屈一指[4]的-3 dB頻寬（差分）：TDS5C212MX典型值為34GHz，TDS5B212MX典型值為29GHz。這些寬頻寬可顯著抑制訊號波形失真，有助於提升高速資料傳輸的可靠性。

這些新元件可在PCIe^® 6.0和USB4^® Version 2.0等高速差分訊號應用中用作二進一出Mux開關或一進二出De-Mux開關。它們支援多裝置共用單一高速介面，並可根據系統需求切換訊號路徑。

兩款產品均採用針對高頻特性最佳化的引腳布局。特別是，TDS5C212MX可充分縮短訊號路徑長度，以減少訊號反射和損耗，提升高速訊號完整性。它們支援的工作溫度範圍均為-40°C至125°C，使其適用於工業應用場景。

Toshiba將持續研發適配高速介面演進的高效能、高可靠性類比開關，為下一代系統的發展貢獻力量。
註：
[1] 　由PCI-SIG制定的下一代介面標準，資料傳輸速率較PCIe^® 5.0提升一倍，可達64 GT/s。
[2] 　由USB IF制定的介面標準，支援最高80 Gbps的高速資料傳輸。
[3] 　TarfSOI™（Toshiba先進射頻絕緣矽製程）：TarfSOI™是Toshiba專為高頻半導體應用研發的絕緣矽-互補金屬氧化物半導體（SOI-CMOS）前端製程技術。
[4] 　作為一款2:1 Mux / 1:2 De-Mux開關。依據Toshiba截至2026年5月的調查。

應用場景
•　工業測試儀、機器人
•　PC、伺服器、行動裝置、穿戴式裝置等

支援的介面
•　PCIe^®系列：PCIe 6.0 / 5.0 / 4.0 / 3.0
•　CXL™系列：CXL 3.0 / 2.0 / 1.0
•　USB系列：USB4^® Version 2.0 / USB4^® / USB 3.2 Gen2×1 / Gen1×1
•　Thunderbolt™系列：Thunderbolt 5 / 4 / 3 / 2
•　DisplayPort™系列：DisplayPort 2.0 / 1.4 / 1.3 / 1.2

產品特點
•　高-3-dB頻寬（差分），支援PCIe^® 6.0和USB4^® Version 2.0等高速差分訊號
TDS5C212MX：34GHz（典型值）
TDS5B212MX：29GHz（典型值）
•　寬工作溫度範圍：-40°C至125°C

* USB4^®是USB Implementers Forum的註冊商標。
* Thunderbolt™是Intel Corporation或其子公司的商標。
* DisplayPort™是Video Electronics Standards Association（VESA^®）在美國和其他國家擁有的商標。
* PCIe^®是PCI-SIG的註冊商標。
* TarfSOI™是Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的商標。
* 其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊（包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式）為公告發表之日的最新資訊，但如有更改，恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的17,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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