聯電智原聯手搶攻物聯網穿戴

（中央社記者張建中新竹12日電）晶圓代工廠聯電與IC設計服務廠智原合作推出55奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)解決方案，搶攻物聯網與穿戴裝置等具低功耗、高密度設計需求的應用市場。

智原表示，透過低漏電記憶體周邊的優化設計，可將記憶體編譯器的功耗大幅降低，甚至在待機模式時，更可降低達70%以上，將可滿足低功耗設計需求。

智原指出，除基礎矽智財(IP)外，目前也開發完成關鍵介面IP，包含採HVC設計的低功耗USB2.0 OTG實體層，在閒置狀態下，將可較傳統方法設計出的OTG實體層大幅降低65%功耗。

針對低功耗應用產品，智原從0.18微米、0.11微米及55奈米eFlash製程都與聯電密切合作，建構解決方案平台，供客戶採用，雙方將聯手搶攻新興的物聯網市場商機。1040312

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