東芝發布150V N溝道功率MOSFET，具有業界領先的[1]低導通電阻和改進的反向恢復特性，有助於提高電源效率

(中央社訊息服務20230331 11:53:12)日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會（「東芝」）推出了一款150V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5。該產品採用最新一代[2]U-MOSX-H製程，可用於工業設備開關電源，如資料中心和通訊基地台使用的電源。產品即日起開始出貨。

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TPH9R00CQ5具有業界領先的[1]9.0mΩ（最大值）低漏極-源極導通電阻，與東芝現有產品TPH1500CNH1[3]相比降低了約42%。與東芝現有產品TPH9R00CQH[4]相比，反向恢復電荷降低了約74%，反向恢復[5]時間縮短了約44%，這都是同步整流應用所需的關鍵反向恢復特性。在同步整流應用[6]中，新產品可降低開關電源的功率損耗，提高效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品降低了開關期間產生的尖峰電壓，有助於減少電源的電磁干擾。
該產品採用通用的表面黏著型SOP Advance(N)封裝。

東芝還提供支援開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，能夠準確再現瞬態特性的高精密度G2 SPICE模型現在也已上市。

東芝還開發了採用新產品的「用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器」和「採用MOSFET的三相多電平逆變器」參考設計。這些設計即日起在東芝官網上線。新產品還可用於已經發布的「1 kW全橋DC-DC 轉換器」參考設計。

東芝將繼續擴大功率MOSFET產品陣容，以減少功率損耗，提高電源效率和幫助改善設備效率。

應用

• 工業設備的電源，如用於資料中心和通訊基地台的電源。
• 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

特性

• 業界領先的[1]低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ（最大值）(VGS=10V)
• 業界領先的[1]低反向恢復電荷：Qrr=34nC（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
• 業界領先的[1]快速反向恢復時間：trr=40ns（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
• 高結溫等級：Tch（最大值）=175°C

注釋：
[1] 截至2023年3月。與其他150V產品比較。東芝調查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用現有生成製程U-MOSVIII-H的150V產品
[4] 產品採用與TPH9R00CQ5相同的生成製程，並具有相同的電壓和導通電阻
[5] MOSFET主體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用於不進行反向恢復操作的電路，則功率損失相當於TPH9R00CQH的水準。

主要特性
（Ta=25°C，除非另有說明）
元件型號 TPH9R00CQ5

絕對
最大
額定值 漏源電壓VDSS (V) 150
漏極電流ID (A) Tc=25°C 64
結溫Tch (°C) 175
電氣特性 漏源導通電阻

RDS(ON) 最大值(mΩ) VGS=10V 9.0
VGS=8V 11.0
總閘電荷Qg典型值(nC) 44
閘極開關電荷QSW典型值(nC) 11.7
輸出電荷Qoss典型值(nC) 87
輸入電容Ciss典型值(pF) 3500
反向恢復時間trr典型值(ns) -dIDR/dt=100A/μs 40
反向恢復電荷Qrr典型值(nC) 34
封裝 名稱 SOP Advance(N)
尺寸典型值(mm) 4.9 x 6.1 x 1.0
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