記憶體不同調 DRAM仍緊NAND恐過剩

（中央社記者張建中新竹24日電）記憶體明年市況恐將不同調，動態隨機存取記憶體（DRAM）市場仍將持續吃緊，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場則將於明年上半年轉為供過於求。

DRAM與NAND Flash市場今年都處於供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年DRAM與NAND Flash市況恐將不同調。

記憶體模組廠創見指出，DRAM市場供貨持續吃緊，價格未見鬆動跡象。NAND Flash方面，隨著3D NAND Flash技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。

另一記憶體模組廠威剛表示，短期內全球DRAM大廠仍理性看待產能議題，並未有大幅破壞產業生態的計畫，持續正面看待DRAM市況。

NAND Flash方面，威剛指出，隨著供應商3D NAND Flash良率逐步改善，預期明年第1季整體供需將出現轉變。

美國記憶體製造廠美光（Micron）預期，明年DRAM位元供給將增加約20%，市場環境仍將持續健康；NAND Flash位元供給則將增加近50%，供給增加幅度將遠高於DRAM。1061224

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