聯電攜陸合作 經部：助建自有利基技術

（中央社記者黃巧雯台北13日電）聯電接受陸廠委託開發動態隨機存取記憶體（DRAM）相關製程技術，經濟部今天指出，雙方屬技術合作，未涉及關鍵技術，且除可收取權利金外，還有助建立自有利基型DRAM技術。

中國大陸積極投入記憶體領域發展，由福建省政府投資的晉華集成電路找上聯電開發DRAM相關製程技術，聯電表示，將在南科廠籌組超過 100人團隊，投入DRAM相關製程開發，由晉華提供DRAM特用設備，並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用，開發成果將由雙方共同擁有。

經濟部工業局副局長呂正華表示，由於國內未有主要DRAM自主技術，目前主要技術掌握在美光、三星、海力士等公司，儘管國內有DRAM廠華亞科、台灣美光等公司，但皆屬於國外技術授權在台代工。

呂正華指出，由於聯電在部分特殊利基型DRAM製程技術擁有相關能量，因此晉華集成電路找上聯電開發DRAM相關製程技術。

呂正華強調，這次聯電與陸廠因未涉及關鍵技術、屬於單純技術合作，因此經聯電提出申請後，不必召開關鍵技術小組會議，投審會約今年3、4月來函詢問工業局、技術處意見，最後同意該合作案。

對於這起技術合作案，呂正華認為，除了可收取權利金外，還有助於建立國內自有利基型DRAM技術，且沒有影響國內產業的問題。1050513

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