改善EUV製程隨機性誤差 Fractilia助晶圓廠提高良率

（中央社記者鍾榮峰台北29日電）半導體製造量測方案供應商Fractilia表示，隨機性誤差的量測解決方案可協助半導體晶圓廠在極紫外光（EUV）微影製程中提高良率，避免損失數十億美元。

Fractilia今天新聞稿指出，半導體晶圓廠管控關鍵環節極紫外光微影製程所產生的良率問題，可能受到隨機性（stochastic）誤差影響，相關挑戰的損失金額可達數十億美元，隨機性誤差是晶圓先進製程最大的微影圖案（patterning）錯誤來源。

微影隨機性誤差是隨機出現且不會重複的圖案化錯誤。在EUV製程中，微影製程圖案錯誤的製程容錯空間，可能超過一半都耗費在隨機性誤差上，晶圓廠要控制這個問題，就必須量測製程隨機性誤差。

產業調查機構TechInsights副董事長赫奇森（G. Dan Hutcheson）指出，半導體製造進入EUV生產世代，隨機性誤差成為主要的良率問題。

Fractilia技術長麥克（Chris Mack）表示，製程隨機性誤差迫使晶圓廠必須在良率與生產力間取捨，若透過精準量測並控制製程隨機性誤差，晶圓廠可以優化並提升內部製程設備的生產力及良率。

Fractilia指出，提供晶圓廠高精準度的隨機性誤差的自動化量測解決方案，可以克服先進製程微影圖案化錯誤，提升元件良率與曝光機與蝕刻機的生產能力。

總部位於美國德州奧斯汀的Fractilia布局先進半導體製造中隨機性誤差量測與控制解決方案，應用Fractilia反向線掃描模型（Fractilia Inverse Linescan Model）的專利技術，提供隨機性誤差量測，目前前5大晶片製造商中的4家大廠採用。（編輯：張均懋）1110329

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