台裔新創NEO完成記憶體新技術概念驗證 獲施振榮投資

（中央社記者吳家豪台北23日電）由矽谷台裔創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor今天宣布，新一代記憶體技術3D X-DRAM已完成概念驗證（POC），為邁向新世代高容量記憶體解決方案的重要里程碑。

NEO同時宣布，已獲得宏碁集團創辦人施振榮領軍的策略性投資，將用於後續技術研發與產品化推進。

此次測試晶片由NEO與陽明交大產學創新研究學院共同開發，並於國家實驗研究院台灣半導體研究中心完成製作與測試。

NEO今天發布新聞稿說明，3D X-DRAM採用記憶體單元垂直整合架構，突破傳統記憶體容量擴展限制，可望應用於高頻寬記憶體（HBM）、雙倍資料率（DDR）記憶體，以及人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）等領域。

相較於現行HBM需逐層堆疊動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片的方式，NEO形容其創新做法如同「千層糕」，更接近一體成形的3D結構，有助於提升整合效率並優化成本。

施振榮表示，期待借重台灣的半導體產業的基礎與實力，把這項創新技術商品化，將台灣在記憶體產業的設計能力缺口補起來，讓台灣在記憶體產業也能對全世界有更大的影響力。

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許富菖指出，傳統DRAM正面臨電容微縮極限與容量需求攀升的雙重挑戰，而3D X-DRAM採用無電容架構，結合成熟的3D NAND製程，提供高容量且可擴展的3D垂直堆疊解決方案。NEO目前正與全球領先的記憶體與半導體公司積極洽談潛在的共同開發機會。

NEO成立於2012年，總部設在美國加州聖荷西，聚焦新一代記憶體與AI運算技術開發，目前已累積超過38項美國專利。（編輯：張良知）1150423