彭博：中國造EUV原型機為重大突破 未消除晶片差距
（中央社北京19日綜合外電報導）媒體披露中國已造出極紫外光（EUV）微影設備原型機，顯示在製造先進半導體領域取得實質進展，但彭博經濟研究指出這不代表進展加速，以原型機產生EUV和生產晶片是兩回事。
根據彭博經濟研究（Bloomberg Economics），荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）花費近20年才從最初的原型機進入商業生產。
路透社稍早調查發現，在深圳一座高度戒備的實驗室內，中國科學家已打造出多年來華府極力阻擋的技術成果，即一台可望生產先進晶片的原型機。這台原型機於2025年初完成，現正進行測試，體積幾乎占滿整個工廠樓層。
2名知情人士透露，這項設備由曾任ASML的工程師團隊打造，透過逆向工程仿製ASML的EUV設備。這台原型機已能成功產生極紫外光並能正常運作，但尚未製造出可用的晶片。
這項突破標誌著中國為實現半導體自給自足、歷時6年政府計畫的里程碑，這也是中國國家主席習近平最優先政策之一。儘管中國的半導體目標早已公開，但深圳EUV微影設備計畫一直在秘密進行。
這台深圳原型機未公布光源功率、正常運轉時間以及產出效率等關鍵指標，仍停在實驗室成果這一步，尚未成為經過驗證的製造能力。
報導細節揭露出更深層的限制：這台原型機採用的部分零組件來自國外，是透過灰色市場取得，這個供應鏈無法擴張形成一個產業。
報導證實，這項計畫遵循艾司摩爾的傳統路徑，並未試圖實現技術跨越。報導中描述了標準的雷射產生電漿（LPP）技術，並指出其中面臨光學及光源功率等挑戰。ASML花費數十年才克服這些難關。
中國研究人員雖然持續探索放電產生電漿（DPP）和粒子加速器光源等替代方案，但ASML最終認定LPP是提升EUV功率、實現量產最可行的路徑。
產生EUV是必要的里程碑，但需要持續輸出高功率才能達到商業可行性。ASML的路徑需要約250瓦潔淨能源才能實現具有經濟意義的產出效率。
對ASML的EUV微影設備而言，獲得足夠強度光源一直是外界公認最難克服的技術問題。報導說道，為提升功率，中國這台原型機體積比ASML系統大出許多倍，顯示中方採用的是遠低於量產所需性能的粗暴方式。
據報導，這台原型機組裝過程使用ASML、日本尼康（Nikon）及佳能（Canon）的部分零組件，主要透過灰色管道從二手市場或隱瞞買家身分的中介商取得。
如果中方想要的不只是一次實驗室演示，還要做到不受出口管制影響，那麼所有從外部採購的子系統和零組件都必須在中國境內複製。
彭博經濟研究強調，打造一個工業生態系統不能仰賴灰色市場的零組件。
利用EUV工具進行量產，需具備可維修的零組件、可靠的供應鏈和配套生態系統，包含光源和光學元件這類子系統，以及光罩和光阻劑等原物料。
中國目前仍位於使用原型機生產工作晶片此一階段，與國產零組件組裝並且能夠量產的工具相比還差得遠。（編譯：洪啓原）1141219
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