本網站使用相關技術提供更好的閱讀體驗,同時尊重使用者隱私,點這裡瞭解中央社隱私聲明當您關閉此視窗,代表您同意上述規範。
Your browser does not appear to support Traditional Chinese. Would you like to go to CNA’s English website, “Focus Taiwan" ?
こちらのページは繁体字版です。日本語版「フォーカス台湾」に移動しますか。
中央社一手新聞APP Icon中央社一手新聞APP
下載

DRAM廠增加投片 集邦:HBM排擠仍可能供不應求

2024/5/20 18:51
請同意我們的隱私權規範,才能啟用聽新聞的功能。
請同意我們的隱私權規範,才能啟用聽新聞的功能。

(中央社記者張建中新竹20日電)市調機構集邦科技今天表示,動態隨機存取記憶體(DRAM)供應商開始提高先進製程投片,產能預計於今年下半年提升,不過各廠產能規劃以高頻寬記憶體(HBM)為優先,預期在產能排擠下,DRAM產品仍可能供不應求。

集邦科技今天發布新聞稿,對DRAM市況提出最新看法。集邦科技指出,隨著記憶體合約價翻揚,DRAM供應商開始增加資金投入,提高先進製程投片,估計產能將於今年下半年提升。

集邦科技表示,HBM產品因獲利較佳,且需求持續增加,DRAM廠產能規劃以HBM產品為優先,但受限於良率僅50%至60%,晶圓面積大,估計至今年底占先進製程比重約35%,其餘先進製程產能則生產DDR5及LPDDR5產品。

HBM3E將是HBM市場主流規格產品,集邦科技指出,SK海力士(Hynix)仍是主要供應商,美光(Micron)也開始出貨AI晶片廠輝達(NVIDIA),三星(Samsung)預計第2季完成驗證,於今年中開始出貨。

集邦科技表示,DDR5及LPDDR5規格產品今年滲透率將逐步提升,預估至今年底DDR5滲透率將逾50%,成為市場主流。

集邦科技指出,包括三星、SK海力士及美光皆有擴產計畫,新廠預計2025年陸續完工,預期在產能排擠影響下,DRAM產品仍可能供不應求。(編輯:張均懋)1130520

中央社「一手新聞」 app
iOS App下載Android App下載

本網站之文字、圖片及影音,非經授權,不得轉載、公開播送或公開傳輸及利用。

地機族
172.30.142.107