向中國企業洩露半導體技術　三星電子前員工被判7年

2026/4/22 16:52（4/22 17:15 更新）

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韓國1名前三星電子研究人員涉嫌向中國長鑫存儲洩露半導體技術。（示意圖／圖取自Unsplash圖庫）

（中央社台北22日電）據韓媒報導，涉嫌向中國長鑫存儲洩露半導體技術的一名前三星電子研究人員，今天遭首爾法院一審判處有期徒刑7年。韓國檢方此前指出，三星電子因此蒙受巨額損失，光是2024年銷售額就減少5兆韓元（約新台幣1050億元）。

韓聯社報導，首爾中央地方法院刑事審判第28合議庭今天對三星電子半導體技術遭洩案作出一審判決，判處嫌疑人全某有期徒刑7年。

審判庭認定，被洩露的是韓國國家核心技術，全某參與洩露相關技術的過程。全某將大企業投入巨額資金研發的關鍵技術訊息外洩，並讓外國單位使用，造成有關企業乃至國家利益受損，應予以嚴懲。

報導指出，全某曾與三星電子前經理金某一起離職並跳槽至中國半導體企業長鑫存儲。全某涉嫌在此過程中將三星電子的動態隨機存取記憶體（DRAM）工藝技術洩露給中方，於去年5月被逮捕起訴。涉案技術為三星電子投入1.6兆韓元資金、全球率先研發出的10奈米級DRAM最新工藝。

經查發現，全某以提供涉案技術相關訊息為代價，近6年從長鑫存儲方面共獲利29億韓元，包括合約獎勵3億韓元、價值3億韓元的認股權等。

據報導，針對三星電子半導體技術遭洩案，韓國檢方去年12月23日又對5名三星電子前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對中國長鑫存儲研發團隊的5名員工提起不逮捕起訴。

檢方調查顯示，長鑫存儲成立後，立即聘請三星電子前部長A某擔任研發室長。為獲取三星電子獨有的10奈米級DRAM工藝技術，A某牽頭招募各核心工序技術骨幹。在此過程中，三星電子前研究員B某將DRAM工藝核心技術PRP（製程配方）親筆抄錄後帶離公司，隨後跳槽至長鑫存儲。此舉讓長鑫存儲完整掌握了當時全球唯一的10奈米級DRAM全套工藝技術。