本網站使用相關技術提供更好的閱讀體驗,同時尊重使用者隱私,點這裡瞭解中央社隱私聲明當您關閉此視窗,代表您同意上述規範。
Your browser does not appear to support Traditional Chinese. Would you like to go to CNA’s English website, “Focus Taiwan" ?
こちらのページは繁体字版です。日本語版「フォーカス台湾」に移動しますか。
Se detecta que el idioma que usted usa no es el carácter chino tradicional.Por favor, intente entrar en la Página web de“Español”

DRAM合約價下跌壓力未除 記憶體開高走低

最新更新:2019/07/18 13:14

(中央社記者張建中新竹18日電)動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價近日因日韓貿易戰疑慮展開反彈走勢,但因合約價下跌壓力未除,南亞科等記憶體族群今天股價紛紛開高走低。

日本4日起加強管制光阻劑等3項關鍵電子材料出口南韓,市場高度關注三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)兩大記憶體廠營運是否受到影響。

繼儲存型快閃記憶體(NAND Flash)報價傳出上漲1成後,DRAM現貨價也出現強勁反彈走勢,漲幅也達1成水準。

南亞科總經理李培瑛先前認為,隨著旺季需求升溫,DRAM現貨價可望搶先反彈,只是合約價恐持續走跌。

市調機構集邦科技預期,DRAM供應商庫存水位高於3個月,合約價持續走跌,未見反轉向上跡象,日本管制材料出口南韓事件造成DRAM供需出現結構性反轉可能性低。

南亞科等記憶體族群今天在DRAM現貨價反彈消息激勵下,股價跳空開高,只是隨後賣壓出籠,股價紛紛震盪走低;其中,南亞科股價一度達新台幣66.7元,跌1元,跌幅1.47%。(編輯:張良知)1080718

地機族
訂閱中央社
感謝您的訂閱!瀏覽更多中央社精選電子報
點擊訂閱電子報 點擊訂閱