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三星HBM晶片因發熱問題 未通過輝達測試

2024/5/24 10:10
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(中央社首爾/新加坡24日綜合外電報導)3名知情人士表示,由於發熱和功耗問題,三星電子(Samsung Electronics Co.)最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片尚未通過輝達(Nvidia)的測試。

路透社報導,消息人士表示,這些問題影響到三星HBM3晶片,以及這家韓國科技巨擘及其競爭對手今年推向市場的第5代HBM3E晶片。HBM3晶片是目前人工智慧(AI)圖形處理器(GPU)最常用的第4代HBM標準。

根據三星提供給路透社的聲明,HBM是一款客製化記憶體產品,需「根據客戶需求進行優化」,並補充說,三星正透過與客戶的密切合作來優化產品。三星拒絕對特定客戶置評。

HBM是一種動態隨機存取記憶體(DRAM)標準,於2013年首次推出,透過垂直堆疊節省空間並降低功耗,有助於處理複雜AI應用產生的大量資料。隨著生成式AI熱潮中對複雜GPU的需求激增,HBM的需求也跟著增加。

輝達在全球AI應用GPU的市占率大約是80%,滿足輝達的需求,無論是聲譽或利潤,都被視為HBM製造商未來成長的關鍵。

輝達拒絕置評。

3名消息人士表示,自去年以來,三星一直在努力通過輝達對HBM3和HBM3E的測試。根據兩位知情人士,最近對三星8層和12層HBM3E晶片的失敗測試結果已於4月公布。

目前尚不清楚這些問題是否易於解決,但3名消息人士表示,未能滿足輝達的要求加劇業界和投資人的擔憂。他們擔心三星在HBM方面,可能會進一步落後競爭對手SK海力士(SK Hynix)和美光科技公司(Micron Technology Inc.)。(譯者:陳昱婷/核稿:張曉雯)1130524

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