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旺宏與IBM簽約 續開發相變化記憶體

最新更新:2018/12/24 18:38

(中央社記者鍾榮峰台北24日電)記憶體製造廠旺宏決議與IBM簽訂合約,繼續共同合作開發相變化記憶體。旺宏規劃明年資本支出約新台幣8.65億元。

為持續投入開發先進技術,旺宏董事會今天決議,與IBM Corporation簽訂合約,繼續共同合作開發相變化記憶體。相關合作計畫時程預計明年1月22日起到2022年1月21日。

旺宏指出,分擔研發費用,對長期技術競爭力有正面影響。

此外旺宏董事會今天也決議通過明年新增經常性資本支出預算新台幣8.65億元。

旺宏對於未來展望審慎樂觀,預期高品質及高密度編碼型快閃記憶體(NOR Flash)市場仍會持續成長,第4季與明年產品可望維持一定價格。

相變化記憶體(PRAM)屬於非揮發性記憶體(Non-volatile),操作原理與光碟片相似,市場人士指出,包括英特爾(Intel)、意法半導體(STM)、IBM等深耕相關技術,韓國三星電子也積極研發,業界預期相變化記憶體有機會成為次世代記憶體主流規格之一。(編輯:趙蔚蘭)1071224

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