台亞法說會報喜 順利試產首顆650V氮化鎵功率元件

（中央社記者潘智義台北26日電）台亞半導體總經理衣冠君今天指出，產線承襲過往矽功率元件製程環境與技術經驗，並購入專為氮化鎵生產的有機金屬化學氣相沉積磊晶（MOCVD）等設備，已順利試產首顆符合650V氮化鎵功率元件。

台亞半導體今天召開法人說明會，衣冠君指出，氮化鎵功率元件在動、靜態方面參數都可以達到業界標準，後續待客戶驗證完畢後，可望提供產品代工服務。

衣冠君說，第2季表現儘管仍受到總體經濟情勢和終端消費力道影響，但從季成長率來看主要客群狀態，市場復甦已露曙光。

台亞半導體本次法說會，旗下子公司積亞半導體也正式亮相，展現台亞積極布局化合物半導體的決心，積亞半導體為專職製造碳化矽（SiC）晶圓，未來將根據客戶不同需求，以自製磊晶晶圓，協助製造SiC積體電路晶圓。

積亞半導體總經理王培仁在法說會表示，積亞半導體目前尚處於建置無塵室階段，無塵室預計於今年8月完工，並於2024年1月進行試產，預計於2024年第3季量產，並於2025年達到滿產能。

台亞解釋，初期生產SiC元件，主要聚焦製造白色家電、人工智慧（AI）伺服器電源供應器（server PSU）等相關功率元件市場，中長期目標為取得車用認證，進入車載充電器（OBC）、車用逆變器（traction inverter）等車載元件市場，擠身國際電動車供應鏈。

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王培仁進一步表示，現階段SiC功率元件因電動車、雲端計算、再生能源等產業發展，市場仍供不應求，未來除將有助於提升台灣SiC功率元件於國際市場占有率外，將促進台灣SiC相關產業鏈發展，加速台灣化合物半導體產業鏈發展。

台亞近期在碳化矽、氮化鎵都有非常大投資金額，預計未來新廠的建置也是為了化合物半導體所建，目前規劃未來碳化矽及氮化鎵月產約近5000片，但量遠不及未來電車與新能源市場需求，已開始規劃未來3年擴廠計畫，積極向政府爭取4公頃銅鑼區用地建置新廠，擴大碳化矽、氮化鎵等生產線。（編輯：楊凱翔）1120726

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