攻第三代半導體 碇基散熱GaN電晶體獲驗證導入

（中央社記者曾仁凱台北27日電）台達電子公司碇基半導體布局第三代半導體有成，近期推出最新雙面散熱GaN（氮化鎵）場效電晶體，獨家通過DMTBT測試驗證，將導入台達電與威剛合作開發的鈦金級電源供應器。

碇基的雙面散熱GaN場效電晶體通過一系列嚴格的DMTBF測試，其專利雙面散熱結構能有效分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱導問題，在20萬小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，

碇基總經理邢泰剛表示，寬能隙半導體GaN元件的應用為電力電子帶來革命性突破，運用GaN優異的物理特性，能實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件，碇基將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件。

台達電電源及系統事業群總經理陳盈源指出，DMTBF測試結果證明碇基產品的可靠性及穩定性，可實現更高功率密度和更強大的節能效果。

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碇基新產品易於實現頂部散熱應用，具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。此系列產品未來可望應用在伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進領域。

碇基專注於第三代半導體GaN技術開發，擁有15年以上專業經驗，在全球已累積超過200件專利，2022年辦理增資獲得力智電子、中美晶、日商羅姆半導體（Rohm）等大廠參與結盟。（編輯：張良知）1130227

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