本網站使用相關技術提供更好的閱讀體驗,同時尊重使用者隱私,點這裡瞭解中央社隱私聲明當您關閉此視窗,代表您同意上述規範。
Your browser does not appear to support Traditional Chinese. Would you like to go to CNA’s English website, “Focus Taiwan" ?
こちらのページは繁体字版です。日本語版「フォーカス台湾」に移動しますか。
中央社一手新聞APP Icon中央社一手新聞APP
下載

攻第三代半導體 碇基散熱GaN電晶體獲驗證導入

2024/2/27 16:26
請同意我們的隱私權規範,才能啟用聽新聞的功能。
請同意我們的隱私權規範,才能啟用聽新聞的功能。

(中央社記者曾仁凱台北27日電)台達電子公司碇基半導體布局第三代半導體有成,近期推出最新雙面散熱GaN(氮化鎵)場效電晶體,獨家通過DMTBT測試驗證,將導入台達電與威剛合作開發的鈦金級電源供應器。

碇基的雙面散熱GaN場效電晶體通過一系列嚴格的DMTBF測試,其專利雙面散熱結構能有效分離電氣和熱,進一步解決高功率產品的熱導問題,在20萬小時的長時間運作下,仍能維持優越效能,

碇基總經理邢泰剛表示,寬能隙半導體GaN元件的應用為電力電子帶來革命性突破,運用GaN優異的物理特性,能實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件,碇基將持續拓展產品線,提供更多樣化的氮化鎵元件。

台達電電源及系統事業群總經理陳盈源指出,DMTBF測試結果證明碇基產品的可靠性及穩定性,可實現更高功率密度和更強大的節能效果。

訂閱《早安世界》電子報 每天3分鐘掌握10件天下事
請輸入正確的電子信箱格式
訂閱
感謝您的訂閱!

碇基新產品易於實現頂部散熱應用,具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。此外,特殊的封裝結構可減少寄生電感,提高電源產品的效率,在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。此系列產品未來可望應用在伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進領域。

碇基專注於第三代半導體GaN技術開發,擁有15年以上專業經驗,在全球已累積超過200件專利,2022年辦理增資獲得力智電子、中美晶、日商羅姆半導體(Rohm)等大廠參與結盟。(編輯:張良知)1130227

中央社「一手新聞」 app
iOS App下載Android App下載

本網站之文字、圖片及影音,非經授權,不得轉載、公開播送或公開傳輸及利用。

地機族
172.30.142.45