晶心科與LTSCT簽署IP授權協議　助開發RISC-V方案

（中央社記者張建中新竹3日電）矽智財廠晶心科今天宣布，與Larsen&Toubro全資子公司L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）簽署IP授權總體協議，將協助LTSCT加速開發及商業化RISC-V架構的先進客製化半導體解決方案，滿足全球市場對高效能晶片需求。

晶心科發布新聞稿指出，與LTSCT簽署的矽智財（IP）授權總體協議旨在實現3項主要目標。首先，建立一套完整的法律架構，以規範雙方目前及未來的所有IP授權合作。其次，授予LTSCT將晶心科技的RISC-V技術整合至其產品所需的授權權利，進一步加速產品開發與商業化進程。

第3，協議導入一套具結構性且累積式的商業合作模式，隨著雙方合作持續深化，將為LTSCT提供更廣泛的技術修改權利與發展空間。

晶心科董事長林志明表示，透過將晶心科的RISC-V IP與LTSCT的產品及市場策略緊密結合，雙方將能加速產品開發與市場布局，提高合作彈性，拓展更多商業機會，並共同為整體半導體產業生態系創造更高價值。

晶心科指出，LTSCT是印度無晶圓廠半導體產品公司，專為全球客戶設計與交付智慧裝置，目標建立一個位於印度的半導體產品線，涵蓋微機電（MEMS）感測器、電力、類比混合訊號及射頻產品，以支援汽車、工業、能源及電信產業。（編輯：張均懋）1150803