環球晶攜手交大 開發碳化矽等半導體材料技術

（中央社記者張建中新竹22日電）半導體矽晶圓廠環球晶今天與國立交通大學簽署備忘錄，將共同成立化合物半導體研究中心，開發包括碳化矽（SiC）等第三代半導體材料技術。

交大代理校長陳信宏表示，SiC和氮化鎵（GaN）是非常具有發展前景的半導體材料，在5G、電動車等應用上，是相當重要的成功關鍵。

陳信宏指出，交大結合多所學校相關研究的教授群，以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸，與環球晶共同合作加速開發SiC和GaN，建立產學互饋循環機制，並培育國際級研發團隊，以利提升台灣半導體產業在全球的競爭實力。

環球晶表示，在SiC和GaN領域已深耕多年，並開發多項專利，具有完整的生產線，這次與交大合作，希望結合各自的專業領域與技術優勢加速發展，創造營運成長新契機。（編輯：張均懋）1090622

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