本網站使用相關技術提供更好的閱讀體驗,同時尊重使用者隱私,點這裡瞭解中央社隱私聲明當您關閉此視窗,代表您同意上述規範。
Your browser does not appear to support Traditional Chinese. Would you like to go to CNA’s English website, “Focus Taiwan" ?
こちらのページは繁体字版です。日本語版「フォーカス台湾」に移動しますか。
Se detecta que el idioma que usted usa no es el carácter chino tradicional.Por favor, intente entrar en la Página web de“Español”

儀科中心攜天虹科技 高階半導體設備自製邁大步

最新更新:2020/09/08 13:05

(中央社記者張建中新竹8日電)國家實驗研究院儀器科技研究中心與天虹科技合作,成功開發12吋叢集式原子層沉積先進設備,開創國內高階半導體設備自製的新局面。

因應電子產品微縮化需求,半導體朝向奈米超薄膜製程發展,儀科中心表示,原子層沉積技術(ALD)具有極佳的薄膜沉積均勻性與厚度控制,成為半導體產業一項主流技術。

儀科中心自2004年起深耕開發ALD技術,是國內具備客製化ALD設備及製程能力的研究單位,至2020年已客製開發20多台各式ALD設備,應用於太陽能和光學薄膜等領域,只是半導體製程技術仍受制於國外設備商。

訂閱《早安世界》電子報 每天3分鐘掌握10件天下事
請輸入正確的電子信箱格式
訂閱
感謝您的訂閱!

儀科中心2018年起與國內半導體設備廠天虹科技合作,整合雙方技術共同開發12吋量產型叢集式ALD設備,於2019年完成設備開發及12吋氧化鋁薄膜製程驗證,應用於Mini-LED及Micro-LED上作為鈍化保護層。

天虹科技的12吋叢集式ALD設備已獲得發光二極體(LED)廠訂單,並與國內半導體廠及材料商共同開發先進製程,如前段的高介電係數絕緣層、微機電等高階應用,開創國內高階半導體設備自製的新局面,期能增進半導體產業國際競爭力。(編輯:楊凱翔)1090908

本網站之文字、圖片及影音,非經授權,不得轉載、公開播送或公開傳輸及利用。

下載中央社「一手新聞」 app,每日新聞不漏接!
iOS App下載Android App下載
地機族