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台灣DRAM自主技術邁大步 南亞科成功開發10奈米

2020/1/10 20:08
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(中央社記者張建中新竹10日電)國內DRAM自主技術發展往前邁進一大步,繼華邦電成功開發25奈米製程技術後,南亞科成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術,第一代產品預計下半年試產。

南亞科下午召開法人說明會,公布去年第4季營運結果,總經理李培瑛並說明對動態隨機存取記憶體(DRAM)後市的看法。

隨著銷量減少,產品平均售價也下滑,南亞科去年第4季營收新台幣131.16億元,季減11.4%,毛利率滑落至25.7%,稅後淨利12.78億元,季減42.1%,為14季新低水準,每股純益0.42元。

李培瑛對於今年DRAM市況保持樂觀看法,預期需求可望明顯改善,供給成長有限,供需情況將趨於健康;第1季銷量與價格將同步成長,第2季有機會更好。

更受市場關注的是,南亞科成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術,DRAM產品可持續微縮至少3個世代。李培瑛宣布,南亞科10奈米製程技術將採用自主開發的技術,不向美光(Micron)授權。

南亞科第一代的10奈米級前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5預計今年下半年陸續進入試產。第二代的10奈米級製程技術目前進入研發階段,預計2022年前導入試產。

南亞科至今已轉換過15個世代製程技術,10奈米是南亞科自行開發99奈米製程技術後,多年來再度自行開發的製程技術;南亞科期間曾與美光共同研發40奈米與30奈米製程,也參與20奈米製程初期共同開發。

李培瑛說,除了可以改善成本,南亞科成功自主開發10奈米製程技術,將有助掌握朝高密度新產品發展的機會與技術進展的步調。

南亞科成功自主開發10奈米製程技術,成為國內首家成功自主開發10奈米製程技術的DRAM廠,不僅對南亞科是一重大里程碑,同時象徵國內DRAM自主技術發展往前邁進一大步。(編輯:趙蔚蘭)1090110

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