台灣DRAM自主技術邁大步 南亞科成功開發10奈米

（中央社記者張建中新竹10日電）國內DRAM自主技術發展往前邁進一大步，繼華邦電成功開發25奈米製程技術後，南亞科成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術，第一代產品預計下半年試產。

南亞科下午召開法人說明會，公布去年第4季營運結果，總經理李培瑛並說明對動態隨機存取記憶體（DRAM）後市的看法。

隨著銷量減少，產品平均售價也下滑，南亞科去年第4季營收新台幣131.16億元，季減11.4%，毛利率滑落至25.7%，稅後淨利12.78億元，季減42.1%，為14季新低水準，每股純益0.42元。

李培瑛對於今年DRAM市況保持樂觀看法，預期需求可望明顯改善，供給成長有限，供需情況將趨於健康；第1季銷量與價格將同步成長，第2季有機會更好。

更受市場關注的是，南亞科成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術，DRAM產品可持續微縮至少3個世代。李培瑛宣布，南亞科10奈米製程技術將採用自主開發的技術，不向美光（Micron）授權。

南亞科第一代的10奈米級前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5預計今年下半年陸續進入試產。第二代的10奈米級製程技術目前進入研發階段，預計2022年前導入試產。

南亞科至今已轉換過15個世代製程技術，10奈米是南亞科自行開發99奈米製程技術後，多年來再度自行開發的製程技術；南亞科期間曾與美光共同研發40奈米與30奈米製程，也參與20奈米製程初期共同開發。

李培瑛說，除了可以改善成本，南亞科成功自主開發10奈米製程技術，將有助掌握朝高密度新產品發展的機會與技術進展的步調。

南亞科成功自主開發10奈米製程技術，成為國內首家成功自主開發10奈米製程技術的DRAM廠，不僅對南亞科是一重大里程碑，同時象徵國內DRAM自主技術發展往前邁進一大步。（編輯：趙蔚蘭）1090110

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