南亞科：記憶體轉為結構增長　先進技術成獲利關鍵

（中央社記者張建中桃園21日電）記憶體廠南亞科董事長鄒明仁今天表示，記憶體產業以往是屬於景氣循環，目前因為AI需求逐漸改變為結構性增長的經營型態，未來獲利的關鍵是掌握先進技術。南亞科使用1C製程技術的先導產品預計下半年完成驗證。

南亞科今天召開股東常會，鄒明仁說，因應人工智慧對高階記憶體日益增長需求，自去年第2季起，主要記憶體大廠調整產能配置，宣布終止供應DDR4及LPDDR4規劃，並將產能升級至生產高頻寬記憶體（HBM）及高容量DDR5模組等產品，導致各類DRAM價格顯著上揚。

鄒明仁表示，南亞科去年第3季在產銷狀況變好，營運轉虧為盈，單季獲利新台幣15.6億元，第4季獲利大幅攀升至110.9億元，展現強勁的獲利成長動能，全年稅後淨利66.1億元，每股純益2.13元。

鄒明仁說，隨著AI發展，雲端服務業者持續投資搭載大量HBM、LPDDR5與RDIMM等高階DRAM產品的AI伺服器，且邊緣運算應用於終端產品，如AI PC、AI手機、AI機器人等，都將推升DRAM的搭載量，帶動需求的成長。

鄒明仁表示，AI伺服器及一般伺服器對DRAM的需求將擴大，115年預期維持成長。高階機種搭載高容量DRAM已成趨勢，AI智慧型手機的興起亦提升對高容量LPDRAM的需求。

他指出，整體個人電腦（PC）出貨可能微幅下滑，但DRAM搭載量增加，整體PC市場需求可望成長。網通產品市況穩健，高價消費型產品需求暢旺，低價產品需求放緩。

鄒明仁說，記憶體產業以往是屬於景氣循環，目前因為AI需求逐漸改變為結構性的增長的經營型態，未來獲利的關鍵是掌握先進技術。南亞科長期以來深耕技術，以及有序推動各項業務。

鄒明仁表示，南亞科預計今年完成16Gb DDR5微縮版、16Gb DDR4及8Gb/16Gb LPDDR4的產品驗證，另外8Gb/16Gb LPDDR5導入試產。

使用1C製程技術的先導產品16Gb DDR5，預計今年下半年完成驗證。使用1D製程技術的先導產品16Gb DDR5，將於今年第2季導入試產。此外，南亞科與合作夥伴開發客製化、高效能、低功耗超高頻寬記憶體，預計明年上半年增加營收。

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鄒明仁指出，因應部分產能轉進1B製程技術的尾款，5A新廠營建類、廠務及無塵室設施，研發及一般性資本支出等，今年資本支出上限為新台幣520億元。

鄒明仁說，南亞科短期將加速5A新廠擴建，並規劃中長期新廠選址及產能。南亞科今年將持續優化各DRAM產品線供應，以增加獲利，並堅持技術創新，投入更多研發資源，加速開發10奈米級製程技術與更多新世代DDR5、LPDDR5及AI高頻寬的產品。（編輯：楊凱翔）1150521