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三星再宣布增設快閃記憶體產線 估投資8兆韓元

最新更新:2020/06/01 16:02
韓國三星電子公司1日再宣布將增設快閃記憶體產線。圖為三星5月21日宣布興建極紫外光微影產線的平澤園區廠房。(韓聯社提供)
韓國三星電子公司1日再宣布將增設快閃記憶體產線。圖為三星5月21日宣布興建極紫外光微影產線的平澤園區廠房。(韓聯社提供)

(中央社首爾1日綜合外電報導)韓國三星電子公司上月才宣布興建5奈米晶圓代工產線,今天又再宣布將增設快閃記憶體產線,預估增加投資8兆韓元(約新台幣1920億元),規劃明年下半年可開始量產。

韓聯社報導,三星電子(Samsung Electronics Co.)今天宣布,將在京畿道平澤園區增設快閃記憶體產線,與5月21日宣布興建的極紫外光微影(Extreme Ultraviolet lithography, EUV)製程產線都設於P2產線。

三星電子表示,EUV晶圓代工與快閃記憶體產線所需的無塵室已動工,預計明年下半年可開始量產5奈米以下EUV製程與最先進V-NAND產品。

快閃記憶體是一種在斷電狀態下仍不會損及儲存資料的非揮發性記憶體,三星電子去年7月領先業界成功量產6世代V-NAND產品。

三星電子說明,這次追加投資是為擴大因應人工智慧(AI)、物聯網(IoT)等第4次工業革命的到來,以及隨著5G普及成長的中長期NAND型快閃記憶體需求。

平澤園區的P2產線除規劃設置EUV製程產線及快產記憶體產線,部分空間也將用做DRAM產線。

三星雖未公開投資金額,但業界預估5月發表的晶圓代工產線約需投入9到10兆韓元,今天宣布增設的快閃記憶體產線約需7到8兆韓元。目前正在施工中的DRAM產線至少需投資15兆韓元,粗估P2產線增設計畫整體將投入33兆韓元以上。(譯者:廖禹揚/核稿:陳政一)1090601

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