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M31攜手台積電 推進2奈米eUSB2 IP技術創新

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圖為台積電高雄廠舉行「2奈米擴產典禮」。 (中央社檔案照片)
圖為台積電高雄廠舉行「2奈米擴產典禮」。 (中央社檔案照片)

(中央社記者張建中新竹24日電)矽智財(IP)廠M31今天宣布,eUSB2實體層(PHY)IP已在台積電3奈米製程成功完成矽驗證,並於2奈米製程技術完成設計定案,將加速推動人工智慧(AI)智慧裝置的應用落地。

M31發布新聞稿指出,2020年於台積電7奈米製程首度推出eUSB2 IP解決方案,之後持續擴展eUSB2 IP產品線,涵蓋5奈米、3奈米,並推進至最新的2奈米製程,與台積電先進製程藍圖高度契合。

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M31總經理張原熏說,旗下eUSB2 IP已在多個先進製程成功矽驗證,這次與台積電於2奈米的協作進展,顯示M31在高速傳輸介面IP領域的創新,協助客戶導入最新協議,加速晶片設計與量產流程。

M31表示,eUSB2 IP解決方案已被多家高階智慧手機晶片與AI影像處理應用廠廣泛採用。目前正積極開發新一代eUSB2 Version 2.0實體層IP,同步於台積電3奈米與2奈米製程加速研發中。(編輯:張良知)1140424

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