ASML：High NA EUV省時省錢　逾35萬片晶圓採用

（中央社記者張建中台北19日電）半導體微影設備廠ASML台灣暨東南亞區客戶行銷主管徐寬成今天表示，半導體製程技術持續不斷微縮，High NA EUV設備將有助於客戶節省時間及成本，目前客戶已有英特爾、IBM及三星，累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV曝光。

艾司摩爾（ASML）今天舉行媒體交流會，徐寬成說，當今社會正從晶片無所不在，轉變成人工智慧（AI）無所不在。AI將驅動半導體先進及成熟製程需求成長，預期2030年全球半導體銷售額將突破1兆美元大關。

徐寬成表示，摩爾定律（指晶片上可容納的電晶體密度，約每18至24個月便會增加1倍）雖然有挑戰，不過未來10至15年仍會依照摩爾定律方向持續發展，半導體製程技術將不斷微縮。摩爾定律是指，隨著製程技術提升，晶片上可容納的電晶體密度約每18至24個月便會增加1倍。

徐寬成說，過去在浸潤式微影推進至極紫外光（EUV）微影設備時，業界出現雜音，目前High NA EUV面臨同樣的情況。

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ASML的High NA EUV客戶有英特爾（Intel）、IBM及三星（Samsung），累計超過35萬片晶片使用High NA EUV設備曝光，徐寬成表示，High NA EUV設備因具有更高成像品質及簡化流程優勢，有助於客戶節省時間與成本。

徐寬成指出，ASML持續精進深紫外光（DUV）微影設備，協助客戶以更低成本滿足大量DUV曝光需求。此外，推出XT：260，支援先進封裝應用。（編輯：楊凱翔）1141119

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