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優化AI運算 NEO半導體獲記憶體大會最具創新技術

2025/8/8 12:49(8/8 13:01 更新)
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台裔新創NEO Semiconductor創辦人許富菖(右)6日在矽谷的記憶體和儲存技術大會FMS發表主題演講,展示來自台灣的測試晶圓。中央社記者張欣瑜舊金山攝  114年8月8日
台裔新創NEO Semiconductor創辦人許富菖(右)6日在矽谷的記憶體和儲存技術大會FMS發表主題演講,展示來自台灣的測試晶圓。中央社記者張欣瑜舊金山攝 114年8月8日
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(中央社記者張欣瑜舊金山7日專電)全球記憶體技術大會FMS在矽谷舉行,聚焦AI創新;美光、SK海力士、鎧俠等大廠爭艷。近年以獨創3D技術受關注的台裔新創Neo半導體,今年以專為AI晶片設計的高頻寬記憶體架構X-HBM獲最具創新技術肯定。

全球首屈一指的記憶體和儲存技術大會(FMS: The Future of Memory and Storage)5日至7日在加州聖克拉拉(Santa Clara)會議中心登場,是專為下一代記憶體和儲存技術打造的產業盛會,今年聚焦人工智慧(AI)革命,強調AI與儲存技術之結合。

台裔創業家許富菖創辦的Neo半導體(NEO Semiconductor)今年以全球首創、專為AI晶片設計的高頻寬記憶體架構X-HBM,獲大會評選為最具創新技術(Most Innovative Technology )。台裔梁見後創辦的美超微(Supermicro)亦獲得此殊榮。

美超微以採用輝達(NVIDIA)Grace CPU超級晶片的全快閃儲存伺服器獲獎。

評選委員會主席克拉瑪(Jay Kramer)針對Neo半導體的技術指出,HBM對AI和高效能運算極為關鍵,下一代技術須具備更高頻寬、更大資料密度、及更低功耗,Neo半導體的X-HBM提供16倍頻寬、10倍資料密度、大幅降低功耗,是記憶體技術的躍進。

克拉瑪表示,這項技術創新有潛力重塑AI基礎設施,加速AI應用的採用。

許富菖6日登台發表主題演講,一開場先展示Neo半導體的獨創核心技術3D X-DRAM的測試晶圓,並向全場業界人士和觀眾表示「它來自台灣」,獲得全場熱烈掌聲。

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Neo半導體於2023年發表3D X-DRAM作為其核心技術,將傳統動態隨機存取記憶體(DRAM)的儲存單元改造成垂直堆疊架構,以期大幅提升記憶體容量、頻寬與能源效率。今年發表的X-HBM即為奠基在這項核心技術上所延伸出的高頻寬記憶體架構。

展會上,記憶體大廠美光(Micron)、三星(Samsung)、SK海力士、鎧俠(Kioxia)都針對AI發表了最新技術和主題演講,涵蓋多個關鍵應用領域,包括資料中心、高效能運算、邊緣行動裝置、及嵌入式系統,反映AI正全速推動記憶體產業的變革。(編輯:陳慧萍)1140808

全球記憶體和儲存技術大會FMS在矽谷舉行,聚焦AI創新;記憶體大廠美光(Micron)、三星(Samsung)、SK海力士、鎧俠(Kioxia)與會。中央社記者張欣瑜舊金山攝  114年8月8日
全球記憶體和儲存技術大會FMS在矽谷舉行,聚焦AI創新;記憶體大廠美光(Micron)、三星(Samsung)、SK海力士、鎧俠(Kioxia)與會。中央社記者張欣瑜舊金山攝 114年8月8日
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