DRAM技術外流中國長鑫存儲 韓起訴前三星員工等10人
（中央社首爾23日綜合外電報導）韓國檢方今天表示，包含前三星電子員工在內，有10人因涉嫌將三星的國家核心技術洩漏給中國記憶體晶片製造商長鑫存儲而遭到起訴。
韓國「中央日報」報導，遭竊技術是由三星電子（Samsung Electronics）率先研發，外流後據信幫助長鑫存儲（CXMT）成為中國首間及全球第4家量產10奈米級動態隨機存取記憶體（DRAM）的公司，這對韓國經濟造成的損失據估至少達數十兆韓元。
首爾中央地方檢察官辦公室指出，檢方已起訴包括前三星電子員工在內的5人，他們被指控違反「不當競爭防止暨營業秘密保護法」和「防止產業技術外流暨產業技術保護法」，並遭到羈押。
另外5人也因相同罪名遭到起訴，不過未受羈押，其中部分人士為長鑫存儲的研發團隊成員。
長鑫存儲在地方政府跟半導體設計公司合資下於2016年成立，是中國首間及唯一的DRAM半導體企業。根據韓國檢方，長鑫存儲創立後不久，便延攬一名前三星電子部門主管帶領其首支研發團隊。
在2016年9月左右，這名前三星電子部門主管及其他人據控透過另一名已跳槽至長鑫存儲的前三星員工，取得三星18奈米DRAM製程技術；該技術被韓國列為國家核心技術與營業秘密。
這項技術當時是全球唯一的10奈米級DRAM製程，由三星投入5年時間研究、投資1兆6000億韓元才研發而成。
韓國檢方提到，長鑫存儲無塵室技術人員2020年6月透過SK海力士公司（SK Hynix）其中一間承包商，也自SK海力士非法取得另一項國家核心DRAM製程技術。
長鑫存儲取得三星電子與SK海力士的關鍵半導體技術後，最終於2023年成功量產10奈米級DRAM。
根據全球市占率變化，韓國檢方估計三星電子的營收損失光去年可能就高達5兆韓元。
韓國檢方談到：「鑒於國內半導體產業占總體出口20.8%的規模，（DRAM關鍵技術外流）對國家經濟造成的損失據估至少達數十兆韓元。」（編譯：洪培英）1141223
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