AI驅動記憶體明年可能缺一整年　南亞科等多檔漲停

（中央社記者張建中台北10日電）人工智慧需求強勁，記憶體廠預期，動態隨機存取記憶體（DRAM）與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）明年可望缺貨一整年，記憶體族群今天走勢強勁，包括南亞科、華邦電、創見等多檔攻上漲停。

AI資料中心基礎建設需求持續升溫，促使三星（Samsung）、美光（Micron）及SK海力士（Hynix）等記憶體廠紛紛將資源與產能集中於高頻寬記憶體（HBM），使得DRAM與NAND Flash市場供不應求，報價強漲。

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因AI需求依然強勁，且短期並無新增產能，記憶體廠預期，記憶體缺貨情況短期恐難以緩解，明年可能缺貨一整年。隨著產品價格揚升，記憶體廠營運成長可期，包括南亞科和華邦電第3季營運已順利轉虧為盈。

記憶體族群今天在市場買盤積極湧入推升下股價齊揚，南亞科、華邦電、創見、群聯、宇瞻等多檔股價強攻漲停。（編輯：張均懋）1141110

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