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盧超群:今年半導體產值挑戰1.4兆美元 記憶體續熱

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鈺創12日舉行媒體交流會,董事長盧超群(圖)表示,今年半導體業產值可望挑戰1.4兆美元,其中,動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)將貢獻一半產值。中央社記者張建中攝  115年5月12日
鈺創12日舉行媒體交流會,董事長盧超群(圖)表示,今年半導體業產值可望挑戰1.4兆美元,其中,動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)將貢獻一半產值。中央社記者張建中攝 115年5月12日

(中央社記者張建中台北12日電)記憶體廠鈺創董事長盧超群今天表示,今年半導體業產值可望挑戰1.4兆美元,其中,動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)將貢獻一半產值,記憶體熱況應可延續到明年中;鈺創訂單能見度已達明年上半年。

鈺創今天舉行媒體交流會,盧超群說,人工智慧(AI)驅動記憶體供需出現結構性變化,目前DRAM價格逐月揚升10%至20%,已回升至合理水位,預期價格可望持續攀升,至第3季價格將趨於飽和。

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盧超群表示,今年DRAM產值可望達到5600億美元,加計NAND Flash,整體記憶體今年產值將約7000億至8000億美元;半導體業今年總產值將達到1.4兆美元規模。

鈺創今年第1季受惠記憶體價揚升,歸屬母公司淨利新台幣6.14億元,表現優於去年同期虧損1.98億元,每股純益1.88元。盧超群說,鈺創訂單能見度已達明年上半年。(編輯:張良知)1150512

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