市調：明年DRAM供給續吃緊　NAND Flash轉寬鬆

（中央社記者張建中新竹30日電）市調機構集邦科技今天表示，2027年記憶體市況恐出現不同調局面，動態隨機存取記憶體（DRAM）將持續供給緊張，價格走勢偏強，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）2027年下半年供給可能趨於寬鬆，價格恐面臨修正壓力。

集邦科技今天發布新聞稿，說明對記憶體後市的最新看法。集邦科技指出，數家DRAM供應商新產能規劃於2027年陸續投產，因建廠時程、設備移機、原物料等前置作業影響，多數新廠投片放量落於2027年下半年，考量生產週期，2028年才有顯著的產出貢獻。

此外，高頻寬記憶體（HBM）晶圓投入遠高於一般型DRAM，將使2027年整體DRAM位元供給成長幅度受限。

集邦科技表示，北美雲端服務供應商（CSP）持續提高資本支出，代理式AI逐步商業化，加上伺服器單機搭載HBM容量成長，2027年DRAM位元需求成長將維持高檔。

透過 Google News追蹤中央社

集邦科技指出，2027年DRAM需求增速超越供給成長，預期供需缺口可能進一步擴大，需求將大於供給約1%至2%。只是部分CSP業者現金流出現負值，2027年資本支出規劃及是否影響記憶體採購值得觀察。

至於NAND Flash方面，集邦科技表示，2027年在產能陸續開出、消費性電子需求偏弱的情況下，市場供需恐出現結構性反轉，供給將轉為寬鬆；不過，代理式AI普及若取得突破性進展，帶動固態硬碟（SSD）需求升高，整體供需可能趨近平衡。（編輯：林家嫻）1150730