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國巨與成大創共研中心 開發高階被動元件材料

最新更新:2020/11/14 16:31
國巨與成功大學14日下午舉行共研中心揭牌儀式,圖右4為國巨董事長陳泰銘,圖左2為高雄市長陳其邁。中央社記者鍾榮峰攝 109年11月14日
國巨與成功大學14日下午舉行共研中心揭牌儀式,圖右4為國巨董事長陳泰銘,圖左2為高雄市長陳其邁。中央社記者鍾榮峰攝 109年11月14日

(中央社記者鍾榮峰高雄14日電)被動元件大廠國巨與成功大學共同研發中心今天成立,包括國巨和旗下基美、普思、奇力新、同欣電與成大合作,開發高階被動元件材料技術以及新一代半導體封裝陶瓷基板。

國巨集團今天下午舉行與成功大學共同研發中心揭牌儀式,董事長陳泰銘表示,國巨集團與成功大學成立共同研發中心,結合科技部專案計畫,投入被動元件前瞻技術的研發,培育人才及產學合作,確保公司長期成長的營運動能,建立永續經營的實力。

他指出,國巨將持續善用台灣優勢包括研發技術、產業聚落和供應鏈,持續投資高階產品在高雄生產,增設研發中心,並結合集團內基美、普思、奇力新、同欣電、凱美等高階關鍵零組件技術,將高階技術發展根留高雄。

國巨指出,集團主要研發中心位於高雄,此次與成大成立共同研發中心,將配備先進的高解析穿透式電子顯微鏡及相關奈米陶瓷粉末的分析設備,強化在材料和產品技術的開發。

國巨至少投入新台幣5000萬元在共研中心,加強與學術界合作,將採雙研究中心制,各設一個研究中心在國巨楠梓廠及成大校園,雙方共同開發前瞻技術,滿足新產品及技術開發需求。

此外共研中心將設立國巨學院,開設被動元件相關課程,長期共同培育人才,加入被動元件產業。

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其中國巨和基美(KEMET)將和成大透過共研中心平台,攜手開發汽車和5G用的MLCC技術,普思(Pulse)與成大合作開發低溫共燒陶瓷(LTCC)設計和60GHz高頻量測技術,推出5G應用的毫米波天線及濾波器通訊元件。

奇力新將與成大合作開發新一代射頻元件及端電級材料,把新導電材料導入被動元件使用;同欣電將與成大合作開發活性金屬硬焊製程級材料自製化,布局高功率氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)封裝用陶瓷基板,支援電動車電力系統。(編輯:郭無患)1091114

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