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工研院與台積電合作 開發低功耗新世代記憶體

2024/1/17 11:02
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(中央社記者張建中新竹17日電)工研院今天宣布,與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片,搭配創新的運算架構,適用於記憶體內運算,功耗僅為自旋轉移力矩磁性記憶體(STT-MRAM)的1%。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示,工研院與台積電開發的SOT-MRAM單元,兼具低功耗及10奈秒高速工作等優點,結合電路設計完成記憶體內運算技術,進一步提升運算效能,跳脫MRAM過去以記憶體為主的應用情境。

張世杰說,工研院與台積電合作成果於國際電子元件會議(IEDM)發表論文,展現次世代記憶體技術的研發能量,未來這技術可應用於高效能運算、AI人工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用,在「智慧化致能技術」應用領域,研究發展非揮發性記憶體創新技術,協助國內產業界發展高價值的技術與產品。(編輯:楊蘭軒)1130117

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